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推土机晶体管数目大揭秘 凭空减少8亿?

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发表于 2011 年 12 月 3 日 19:36:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据著名硬件网站Anandtech创始人兼站长Anand Lai Shimpi刚刚透露的消息,AMD公关部门和他取得联系,称此前八核心推土机架构CPU的晶体管数量有误,实际数量不是20亿而是12亿。
* `- U$ f  H, D: t' V, m; H# O7 C  N2 X5 j/ s) P
推土机实际晶体管数目大揭秘
  B; _3 P9 C4 b  X/ r5 q; s2 q' w, ]7 [( q! U
AMD没有对新的数字做出进一步说明,也没有透露为何此前公布的数字有误。AMD PR补充,4模块8核心推土机的die面积没有变化,仍为315平方毫米。7 t/ Y% A- A5 ^% `/ C8 Q1 `) p5 `
' E( ?0 ]" n6 t
市面常见CPU核心数量、制程工艺、晶体管数量与die面积大比拼
) l$ K$ B- L% M
9 {8 q& \5 S5 V/ h0 o, f4 ~9 \/ gCPU参数比较
8 O( O5 R# x1 K8 K$ ]+ ?' s* lCPU
" L9 k9 @9 Q8 J1 D/ {% l7 ~        % y2 Z; p5 R$ f9 W( X
制程工艺( a2 ^6 k. E0 T: n) t& x, p
       
6 X' T. K* Z* h/ p3 {2 x核心数量
) P$ J) Z1 s6 r6 |# A8 y        ( \5 l4 [3 H6 O2 t# t  B" Y) l
晶体管数量
  {2 {8 u- G$ n+ Q+ d4 V6 w       
& J# w& t  I4 |! o" R6 [Die面积$ X5 W6 u( r0 ]: u9 ^0 J
AMD Bulldozer  J* x4 w7 T0 y, I. E7 k- k/ r
        % n: v$ K, `- O- m( l
32nm* Z& w& m  ?6 C( }, y. U
       
( K% S; n7 L  v$ p8
. s' |- J* o0 Q) f3 e$ c& z        / H6 J' Q3 X7 ?+ ^
20亿% `# o& M9 M& [5 Y- ^1 e
       
3 l9 M; R; y. h+ X  T% B% G' K315mm25 [" G* G) c3 e/ A+ S/ Z/ V' u
AMD Thuban" |/ i! T! C4 z) ^5 q' K1 w
        3 g+ B" A8 H* U0 h, s' v" E
45nm4 l) [# f. D# E* p5 N! G
       
" l% y( P4 i5 M$ \) M: A6
) T- D+ ?# ?; P5 F( W$ d. ~/ o9 `       
1 Z. Q  F) f8 S: M4 K0 ~' @" d# `9.04亿8 h0 r- O, T  \( w0 Z9 l
       
- ?- L. K, U$ N" D" V! g8 @346mm2+ p. p+ L$ z/ j/ h/ E- w
AMD Deneb2 g  j3 ]7 ^6 [, v/ U3 [
        2 w+ x% w8 u7 o, O
45nm
/ ]3 v6 D  P, {: P9 Z$ z5 z6 A       
" J  `* o6 ]4 z( ~! S7 J4 W$ k% ~% e4+ o, @" l# a7 K& P" w1 D
        / |; k: j3 D8 _; P9 B
7.58亿& w! ]; g/ A7 o1 x7 u
        % t6 ]  x! j6 x4 P" e3 k+ V. x
258mm2
- \0 E/ I- H* ]8 E8 n$ }' ?Intel Gulftown5 [0 |7 }  E/ [2 i& Y* D; K% ]6 N
       
0 |2 n3 v9 H! r32nm
( S5 y0 O2 U# `          Y+ s! f6 B1 o$ [. D$ C2 s9 G
6
# @# a/ j* t/ \* z# E7 N' y        " t, G1 ]8 z6 P4 B- G# F0 c. ?
11.7亿8 Q# q/ W0 L* X  V+ @
       
% U# X% B5 J& G/ e240mm2
  D6 }9 P- v+ u# v7 o# t# r: zIntel SNB-E" S4 m1 K, d& {+ S8 s1 u0 U4 i
       
4 k1 L; ?; E7 `+ ]9 R6 }& u32nm
! Z$ f* J6 s! ~1 k! R       
% C2 i& Z( x5 ?7 |  S, v, I8 a1 a6' P8 }* i0 o; |2 O- P- r
       
! G0 Y. j& U/ B# j& S& i( k22.7亿
6 e) x/ \+ A& F' [: }* J       
  l9 M8 z* ]; A6 j' `" ^4 I% x0 G435mm2
  [0 c) [+ H/ `$ QIntel Nehalem
2 M( G( J' b* a. q- }9 [        0 H/ P+ U; Y( m# Z" \$ E& `
45nm
2 P4 l5 {- D2 E3 Q       
* t% b% ^5 O4 T- q; _3 V' w4$ @4 L* i9 d# S; d% A% |
       
' H$ G' ]+ i: Q& ?' P8 T7.31亿
- W- y0 p- J  q8 |- Q# d  l, \        ( q7 R. z: z" w) R4 o
263mm2
+ q" d# u/ R' ?) b/ c% r- PIntel SNB
0 t- D$ K! z5 o) a: Q       
/ w3 |, E5 G3 K& _& B- f32nm
6 m* |+ m# o, q' p9 }# n: b        $ ?& D0 a& q3 x8 ^. A" Z$ `: f# ]
4
/ N8 L  P* |7 \        ! [7 I  b3 a! N7 ^% R
9.95亿
2 Y  a, m0 Z0 i0 `! |       
: ~# C2 e' @+ o& J! h) T1 `6 J216mm2. [8 Z$ |' i! e. ?# h  w
Intel Lynnfield3 G( T  x. K& D
        7 ?2 ~2 A" r  Z2 |
45nm
; N$ f6 f2 r& R+ t. q       
7 S# Q1 F  L4 M" ]; Q4
. m  o3 v! ^8 Z- ]9 M        % M0 F, n* x4 M
7.74亿6 |; \. z& Y/ T" Q  l! T7 h  l
       
1 e5 N4 Q% q% U296mm2
, g/ _* ]5 t2 x* n! n& r/ PIntel Clarkdale
2 d# ~" {7 [) w" H       
6 _; I$ d8 g5 S! x32nm/ Z( d+ L7 F8 L6 \. l4 v, f
        % B3 j' d+ V0 C& ^# b9 J
2" w3 D: r( j, @# A
       
3 p9 O- V% N+ f1 h3.84亿7 j7 q" N4 I- [* ?
        3 W6 U4 R! R4 h
81mm2
; D. l4 M; ^! S6 oIntel SNB(GT1); ]# n4 t: j$ A& x$ [  @
       
. [( m5 Z% d% V) G# r) V32nm! t/ F/ k* j: F/ `
       
& @0 j2 x. H+ d2/ r1 Y4 ^$ k! n4 R1 f1 g
        ! i- m" [9 `) a  e$ I
5.04亿5 z( Q' D2 z, C. m+ r0 y/ V) z
       
$ _/ z% `4 n  i# P1 y4 A& U  B" t131mm28 \: ?9 y1 u6 ~+ e% q
Intel SNB(GT2)
4 ^$ U; S1 m8 V+ _5 A* E- q; c        6 q: i5 }2 s$ [* n. l- i
32nm- S( K( F$ p# D# I4 v
       
- F# G, ?4 y8 U, a2
+ j  o' e, A! \% @3 ~. ^        7 \( Z7 g# z7 E* d- ^
6.24亿
! ]- C# B6 S: p        % f  z! W3 Y" d# r, s; ]* T) A
149mm2  q' `! Z% x" r! y

9 `4 W$ N! J: U+ {# V2 L5 p9 |尽管实际的晶体管数量削减了约40%,不过AMD首款32nm工艺的高端CPU晶体管密度还是远大于它的45nm产品。
3 m8 `! e* z4 B. Q) `5 |# \+ g" f% |" G3 ?  I& \6 i
推土机实际晶体管数目大揭秘% v* t. Z& B: `3 |7 N) K! N* Y
( X- M! R6 @/ b$ J8 S& N  ]
晶体管密度不仅仅取决于制造工艺,包括芯片的细节比如逻辑模块、缓存部分和I/O晶体管都对die的最终设计有影响。高晶体管密度通常更受制造工厂的欢迎(每die的缺陷更少,一块晶圆能切割的成品更多,成本更低等),不过对于终端用户来说这都无所谓,性价比或者能耗比才是王道。
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